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2018年是第三代半导体产业化准备的关键期

伴随着第一代、第二代半导体技术逐渐逼近物理极限,已经无法支撑光电子、电力电子和射频微波等领域器件性能,面对无法持续发展的窘境,给能源和环境带来严峻的挑战。


2018年是第三代半导体产业化准备的关键期

伴随着第一代、第二代半导体技术逐渐逼近物理极限,已经无法支撑光电子、电力电子和射频微波等领域器件性能,面对无法持续发展的窘境,给能源和环境带来严峻的挑战。以氮化镓和碳化硅为代表的宽禁带半导体材料成为2018年崛起的第三代半导体材料,将带给我们什么惊喜呢?

国际半导体照明联盟主席、科技部原副部长曹健林指出,目前光电子领域半导体照明已经确立了在照明领域的主导地位,电力电子和微波射频产业在全球处于起步阶段。我国第三代半导体应用领域有基础有优势,第三代半导体创新发展时机已经成熟。

在12月16日举办的半导体发展战略研讨会上,第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲表示,2018年是第三代半导体产业化准备的关键期。到2025年,第三代半导体器件将在移动通信、高效电能管理中国产化率占50%;LED通用照明市场占有率达到80%,核心器件国产化率达到95%;第三代半导体器件在新能源汽车、消费类电子领域实现规模应用。

据了解,目前我国第三代半导体已列入2030年国家新材料重大项目七大方向之一,正处于研发及产业化发展的关键期。相较于硅基半导体,全球第三代半导体产业发展处于起步阶段,我国有着巨大的市场需求,在第三代半导体产业有望实现全产业链发展,进入世界先进行列。

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