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国内首条8英寸硅基氮化镓生产线在珠海正式通线投产

氮化镓作为第三代半导体,是最具潜力的半导体材料之一,被预言为不久的将来会改变世界的材料。近日,英诺赛科(珠海)科技有限公司自主研发的中国首条8英寸硅基氮化镓生产线在

氮化镓的热稳定性强,很容易就可以实现工作脉宽和高工作比,将天线单元级的发射功率提高10倍;可靠性高,可用于650度的军用装备上;氮化镓制作成本低,能够有效改善发射天线的设计,减少发射组建的数目和放大器的级数等。

氮化镓是第三代半导体材料的典型代表,是半导体照明中发光二极管的核心组成部分。氮化镓不是天然材料,而是一种人造材料,单这种材料的形成条件极为苛刻,需要2000度的高温和近万的大气压的条件下用金属镓和氮气合成。

氮化镓作为第三代半导体,是最具潜力的半导体材料之一,被预言为不久的将来会改变世界的材料。近日,英诺赛科(珠海)科技有限公司自主研发的中国首条8英寸硅基氮化镓生产线在珠海正式通线投产,填补了我国在这一领域的空白。

英诺赛科(珠海)科技有限公司经过两年的努力,建成中国首条完整8英寸硅基氮化镓外延与芯片量产生产线,主要产品包括100V-650V氮化镓功率器件,设计及性能均达到国际最先进水平,将广泛应用于电力电子、新能源、电动汽车、信息与通信和智能工业等领域。

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